服务好的半导体芯片清洗剂 芯片水溶性锡膏清洗 合明科技公司

现有技术中对半导体芯片的清洗，通常采用溶剂型清洗剂，溴丙烷采用气相清洗技术用于清除芯片表面助焊剂残留；众所都知，溴丙烷为含有卤素的烷烃试剂，长期接触会对员工造成潜在的致风险，且溴丙烷的ODP值为0 .02，对臭氧层有破坏性。该半导体表面清洗剂含氟代化合物，不含破坏环境的氟氯烃类化合物，对半导体表面助焊剂具有较好的溶解、清洗性能，但是该溶剂型清洗剂都含有性气味溶剂，使用人员在清洗时*引起头晕，眼睛等不良反应。因此现有技术中的溶剂型半导体清洗剂往往含有性气味溶剂和对人体有害的成分。
系统级封装（system in package，SIP）是指将不同种类的元件，通过不同种技术，混载于同一封装体内，由此构成系统集成封装形式。该定义是通过不断演变、逐渐形成的。开始是单芯片封装体中加入无源元件（此时封装形式多为QFP、SOP等），再到单个封装体中加入多个芯片。叠层芯片以及无源器件，后发展到一个封装构成一个系统（此时的封装形式多为BGA、CSP）。SIP是MCP进一步发展的产物，二者的区别在于：SIP中可搭载不同类型的芯片，芯片之间可以进行信号取放和交换，从而以一个系统的规模而具备某种功能；MCP中叠层的多个芯片一般为同一种类型，以芯片之间不能进行信号存取和交换的存储器为主，从整体上来说为一多芯片存储器。

SIP、POP或IGBT精密器件所需要的洁净度技术指标
首先要关注到所生产的SIP、POP或IGBT精密器件所需要的洁净度技术指标，根据洁净度的要求来做清洗的工艺选择。所从事的产品类别不同，应用场景不同，使用条件和环境不同，对器件洁净度的要求也有所不同，根据器件的各项技术要求来决定洁净度指标。包括外观污染物残留允许量和表面离子污染度指标水平，才能准确定义器件工艺制程中所要达到的洁净度要求。避免可能的电化学腐蚀和化学离子迁移失效现象。

器件制程工艺所存在的污染物
既然是要清洗制程中的污染物，就需要关注器件制程工艺所存在的污染物，比如：焊膏残留、锡膏残留等其他的污染物，评价污染物对器件造成可靠性的影响，比如：电化学腐蚀，化学离子迁移和金属迁移等等，这样就能对所有污染物做一个全面的认知，确定哪些污染物需要通过清洗的方式去除，从而**器件的终技术要求。污染物可清洗性决定了清洗工艺和设备选择，免洗锡膏还是水溶性锡膏，锡膏的类型不同，残留物的可清洗性特征也不同，清洗的工艺方式和清洗剂的选择也随之不同。识别和确定SIP、POP、IGBT工艺制程中污染物是做好清洗的重要前提。

W3110为浓缩型水基清洗剂，用去离子水按一定比例稀释后使用，可适用于超声、喷淋工艺，配合去离子水漂洗，能达到非常好的清洗效果。清洗后的表面离子残留物少、可靠性高
SIP、POP、IGBT水基清洗所需要考虑的因素还有许多，具体的工艺参数和选择涉及面广且技术关联性强，在此仅对重要的部分做简要阐述，供业内人士参考。